据TrendForce报道，SK海力士已宣布完成HBM4的开发并准备量产，基础裸片由台积电以12纳米制程生产。
而到了第七代HBM4E，SK海力士正考虑引入英特尔晶圆代工业务作为第二家基础裸片供应商，与台积电形成多供应商体系。SK海力士从HBM4起将基础裸片外包给台积电，背后有着深刻的技术和市场逻辑。据报道，SK海力士甚至正在考虑采用台积电3纳米制程用于HBM4E的逻辑基底芯片，以应对三星自研4纳米制程带来的压力。台积电在基础裸片代工领域的事实垄断地位，使SK海力士在价格谈判中缺乏筹码。目前，SK海力士的HBM封装主要依赖台积电的CoWoS工艺。初步评估显示，在某些应用场景下，EMIB可将封装成本降低约50%，相比CoWoS具有成本优势。
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